<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Bilas on Quality IR Heating Lamps</title>
		<link>http://lamp-ir.com/ms/tags/bilas/</link>
		<description>Recent content in Bilas on Quality IR Heating Lamps</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ms</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Wed, 17 Jun 2026 16:36:52 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://lamp-ir.com/ms/tags/bilas/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Wafer yang kering dengan cepat setelah dicuci menggunakan lampu.</title>
				<link>http://lamp-ir.com/ms/posts/fast-drying-wafer-after-rinse-lamp/</link>
				<pubDate>Wed, 17 Jun 2026 16:36:52 +0800</pubDate>
				<guid>http://lamp-ir.com/ms/posts/fast-drying-wafer-after-rinse-lamp/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://lamp-ir.com/images/a071a4619f1d04d8f3e2839bd3740f1c.png&#34; alt=&#34;Wafer yang kering dengan cepat setelah dicuci menggunakan lampu.&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di bilik pengeluaran, proses pembilasan bukanlah titik akhirnya. Ia merupakan langkah terakhir sebelum kotoran dapat masuk ke dalam wafer tersebut. Kesan air, masa pengeringan yang lambat, serta kawasan yang panas bukan sahaja merosakkan penampilan wafer, tetapi juga menyebabkan kehilangan hasil pengeluaran dan gangguan operasi yang tidak dijangka. Selepas proses pembilasan, wafer perlu dikeringkan dengan cepat, secara bersih, dan secara konsisten, tanpa menambahkan zarah-zarah tertentu atau memberi tekanan pada lapisan fotoresist.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Apa yang penting dari segi teknikal&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Lampu ini direka berdasarkan satu prinsip utama: menghantar tenaga dengan cepat, sambil memastikan ia berada di bawah kawalan yang ketat. Unsur inframerah berfrekuensi rendah digunakan untuk memastikan proses pengeringan berlaku dengan cepat, manakala geometri reflektor dan aliran udara pula membantu mengekalkan suhu yang stabil. Ini membolehkan keseragaman suhu pada tahap ±0.1°C, agar setiap wafer mendapat suhu yang sama.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
