팹에서는, 포토레지스트를 가열하는 과정에서 0.1°C만큼의 온도 변동이 있어도 300mm 웨이퍼 전체가 폐기되고 맙니다. 이러한 온도 변동을 사전에 방지하기 위해 인터포저를 가열하는 적외선 램프가 사용됩니다.
이 램프의 핵심은, 빠르게 반응하는 석영 소자를 활용한 단파 적외선 방출 기술입니다. 이를 통해 빠르고 국소적인 열이 발생합니다. 인터포저 표면 전체에서의 온도 변동은 ±0.1°C 이내로 유지되며, 온도의 재현성도 매우 뛰어납니다. 최대 파장은 포토레지스트가 에너지를 흡수하는 부분에 맞춰져 있어서, 에너지가 중요한 부분에만 집중되고, 그 아래에 있는 절연체는 손상되지 않습니다. 이 램프는 24시간 연속으로 작동하며, 입자를 전혀 생성하지 않으며, 클래스 1부터 클래스 100까지의 청정도를 유지합니다.
리소그래피 공정에서는 소프트 베이크를 통해 용매를 제거하고 포토레지스트의 형태를 결정합니다. 하드 베이크는 에칭 전에 패턴을 고정시킵니다. 두 과정 모두 안정적이고 균일한 온도가 필요합니다. 이 램프는 인터포저의 온도를 안정적으로 유지함으로써, 선의 굵기 변동을 줄이고, 현상 후에 발생할 수 있는 문제들을 방지합니다.
결과적으로, 생산 효율이 높아지고 재작업이 줄어들며, CD 제어도 보다 정확해집니다. 또한, 램프가 특정 영역만을 가열하기 때문에 에너지 사용량도 줄어듭니다.
실제 사용 시에는, 정확한 광학적 정렬과 클린룸 수준의 설치가 필요합니다. 출력 강도는 특정 인터포저 구조에 맞게 조정되므로, 구조가 변경되면 설정값을 다시 조정해야 할 수도 있습니다.
리소그래피 장비와 열 제어 장치와의 연동을 사전에 계획해 두는 것이 중요합니다. 일단 이들이 서로 잘 연동되면, 공정이 원활하게 진행됩니다.